这是芯片行业发展过程中的一个里程碑,将在芯片性能和能源效率方面实现飞跃
纽约州奥尔巴尼 — 2021 年 5 月 6 日：IBM(纽约证券交易所：IBM)宣布,IBM 已成功研制出全球首款采用 2 纳米 (nm) 规格纳米片技术的芯片,这标志着 IBM 在半导体设计和工艺方面实现了重大突破。一直以来,半导体在众多领域内都扮演着至关重要的角色,例如：计算机,家用电器、通信设备、运输系统、关键基础设施等等。
各行各业对芯片性能和能效的要求越来越高,在混合云、人工智能和物联网时代尤其如此。IBM 研发的新型 2 纳米芯片技术可推动半导体行业的发展,满足不断增长的需求。与目前最先进的 7 纳米节点芯片相比,这项技术预计可使芯片的性能提升 45%,能耗降低 75% i。
这款先进的 2 纳米芯片的应用前景包括：
· 使手机电池续航时间增至之前四倍,只需每四天为设备充一次电即可 ii。
· 大幅减少数据中心的碳排放量,目前,数据中心的能源使用量占全球能源使用量的百分之一。iii 将数据中心的所有服务器更换为 2 纳米处理器可能会显著降低该比例。
· 极大地提升笔记本电脑的功能,可加快应用程序处理速度,加强语言翻译辅助功能,加快互联网访问速度。
· 加快自动驾驶汽车(例如：无人驾驶汽车)的物体检测速度,缩短反应时间。
IBM 研究院高级副总裁兼院长 Darío Gil 表示：“这款新型 2 纳米芯片体现出的 IBM 创新对整个半导体和 IT 行业至关重要。”“这是 IBM 不畏艰难,克服严峻技术挑战取得的成果,展现了持续投资和合作研发生态系统方法如何帮助我们实现突破。”
IBM 始终处于半导体创新的最前沿
几十年来,IBM 一直是半导体创新领域内的领导者,这为 IBM 实现最新突破奠定了坚实的基础。IBM 在位于纽约州奥尔巴尼市 Albany Nanotech Complex 的研究实验室开展半导体研发工作,在这里,IBM 科学家与来自公共和私营部门的合作伙伴密切合作,共同推动逻辑扩展和半导体功能向前发展。
这种协作式创新方法不仅使 IBM 奥尔巴尼研究院成为了全球领先的半导体研发生态系统,而且还构建了一条强大的创新渠道,有助于满足制造需求,加速全球芯片行业的发展。
多年来,IBM 在半导体领域内屡次实现重大突破,包括率先推出 7 纳米和 5 纳米工艺技术、单管 DRAM(single cell DRAM),Dennard 标度律(the Dennard Scaling Laws),化学放大光刻胶(chemically amplified photoresists)、铜互连布线(copper interconnect wiring)、绝缘硅片技术(Silicon _disibledevent="font-family:微软雅黑,microsoft yahei; font-size:16px">iii： https://science.sciencemag.org/content/367/6481/984
